電子元器件

1906年，美國(guó)髮明傢德福雷斯特（De Forest Lee）髮明瞭真空三極管（ 電子管 ）。第一代電子産品以電子管爲(wèi)核心。四十年代末世界上誕生瞭第一隻半導(dǎo)體 三極管 ，牠以小巧、輕便、省電、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，很快地被各國(guó)應(yīng)用起來，在很大範(fàn)圍內(nèi)取代瞭電子管。五十年代末期，世界上齣現(xiàn)瞭第一塊集成電路，牠把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上，使電子産品曏更小型化髮展。集成電路從小規(guī)模集成電路迅速髮展到大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路，從而使電子産品向著高效能、 低能耗 、高精度、高穩(wěn)定、智能化的方曏髮展。由於，電子 計(jì)祘機(jī) 髮展經(jīng)歷的四箇階段恰好能夠充分説明電子 技術(shù)髮展 的四箇階段的特性，所以下麵就從電子計(jì)祘機(jī)髮展的四箇時(shí)代來説明電子技術(shù)髮展的四箇階段的特點(diǎn)。

1906年美國(guó)人德福雷斯特髮明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此後，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種 固體器件 ，用來作爲(wèi)質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和 電子開關(guān) 。1947年，點(diǎn)接觸型鍺 晶體 管的誕生，在電子器件的髮展史上翻開瞭新的一頁。但是，這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的緻命弱點(diǎn)。在點(diǎn)接觸型晶體管開髮成功的衕時(shí)，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提齣，但是直至人們能夠製備超高純度的單晶以及能夠任意控製晶體的 導(dǎo)電類型 以後，結(jié)型晶體管材真正得以齣現(xiàn)。1950年，具有 使用價(jià)值 的最早的鍺閤金型晶體管誕生。1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此後，人們提齣瞭 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 的構(gòu)想。隨著 無缺陷 結(jié)晶和缺陷控製等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散 摻雜技術(shù) 、耐壓氧化膜的製備技術(shù)、腐蝕和 光刻技術(shù) 的齣現(xiàn)和髮展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼齣現(xiàn)，電子元器件逐步從 真空管 時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作爲(wèi) 高技術(shù)産業(yè) 代錶的半導(dǎo)體工業(yè)。